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行業(yè)新聞

KAIST宣布成功研發(fā)1600 PPI等效Micro LED顯示器

2022-08-04 14:03:54


近日,韓媒報道,韓國高等科學技術(shù)研究院(KAIST)宣布,由電氣電子工程學院的Sang-Hyun Kim教授領(lǐng)導的研究團隊利用單片式3D集成技術(shù),成功研發(fā)了1600 PPI等效Micro LED顯示器。據(jù)悉,1600 PPI是適用于超高分辨率增強現(xiàn)實(AR)和虛擬現(xiàn)實(VR)顯示器的分辨率。

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單片式三維堆疊Micro LED顯示器驅(qū)動的圖像

據(jù)了解,為了利用基于無機物的Micro LED 制作顯示器,需將每種光色(紅光、藍光和綠光)的芯片從各自基板上分離出來,并將它們轉(zhuǎn)移到顯示面板上。

過往,常用的轉(zhuǎn)移方法是通過Pick-and-Place取放方案將每個芯片移動至顯示面板,然而隨著芯片尺寸不斷縮小,這種轉(zhuǎn)移良率將會降低,因此難以應用于超高分辨率顯示器的生產(chǎn)。

為了解決這個問題,KAIST的研究團隊在Si-CMOS顯示驅(qū)動電路板上,通過3D堆疊方式集成紅色Micro LED。該方法首先通過晶圓鍵合將Micro LED薄膜層轉(zhuǎn)移到Si-CMOS電路板上,然后通過光刻工藝生成像素。之后,研究團隊通過從上到下(Top-down)的連續(xù)半導體工藝,在 Si-CMOS電路板上成功開發(fā)了高分辨率顯示器。

在此過程中,研究團隊通過設計一種用于顯示的LED半導體層,將用于發(fā)光的有源層的厚度減少到現(xiàn)有的三分之一,減少像素形成所需的蝕刻工藝的難度,從而取得本次研究的成果。

此外,為防止下層顯示驅(qū)動電路性能下降,研究團隊采用晶圓鍵合等超低溫工藝,在350度以下集成上層III-V族元素,保持下層驅(qū)動IC在上層元件被整合之后,性能保持不變。

據(jù)悉,本研究成果是一項以三維堆疊方式集成紅色Micro LED,成功實現(xiàn)1600 PPI的世界級分辨率的研究,研究運用的單片式3D集聚方式,為下一代超高分辨率顯示的開發(fā)提供了指導方向。Sang-Hyun Kim 教授認為,未來可以通過應用類似的工藝來制造包紅、綠、藍光的全彩顯示器。值得注意的是,本次研究獲得了三星未來技術(shù)開發(fā)中心的支持。