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Shenzhen International Cross-border E-commerce Trade Fair 2019

2019 第三屆深圳國際跨境電商交易博覽會

2019.11.03

www.icbeexpo.com

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展會新聞

DIC 2024展商丨越好電子,國產真空鍍膜設備主力軍

2024-04-22 00:00:00


越好展圖.png


INTRODUCTION

公司簡介


安徽越好電子裝備有限公司

越好logo透明.png

展位號:特6C07

越好電子專注于半導體真空設備及其關鍵技術的研發與應用。公司創立之初,主要為國內面板廠提供進口設備的維保服務。由于國際貿易形勢和成本因素,國內泛半導體行業對于成套真空設備的需求日益迫切,越好電子基于設備服務業務的持續擴大以及良好的業界口碑,積極布局半導體、新型顯示、新能源等領域被國外壟斷的關鍵制程設備。

越好電子裝備主要技術及產品聚焦于真空薄膜沉積產業的機構設計、電磁場、熱流物理仿真分析、電氣設計、光學系統、人機接口軟件、系統自動化控制、高真空設備等精密技術開發整合設備產品。憑借專業知識和技術能力,越好電子技術團隊成功地自主研發和制造了國內首條8.6代PVD設備,打破了這一行業的國外壟斷。

公司形象或廠房照2.jpg


PRODUCT

推薦產品


01

陣列式磁控濺射鍍設備



目前業界主流陣列磁控濺射鍍膜設備均為國外廠商,越好基于國產替代的背景,再現有資源下進行延伸,從基礎科學儲備開始,逐步進行對國外設備的替代和超越:

適用基板:2250*2600mm(其他尺寸可定制);
玻璃厚度:0.38~0.7mm;
鍍膜種類:ITO、Mo、Al、Cu;
真空值:5E-5Pa;
陰極:旋轉陰極、水冷卻型;
工藝氣體:Ar/O?;
膜厚均一性:≤10%;

產品優勢:越好電子Array Sputter具有傳輸更加穩定,破片率更低,Particle更少,效率更高等優點。產品目前主要應用于大型面板顯示行業,為薄膜沉積提供了國產化解決方案。

展品圖片1:陣列式磁控濺射鍍膜設備.jpg

產品應用:G8.6 Metal / ITO PVD設備出貨并量產,主要應用為顯示面板金屬或金屬氧化物走線。


02

R2R卷繞磁控濺射鍍膜設備



越好電子開發設計單腔雙輥卷繞鍍膜設備,著重鍍膜溫度控制,張力調節,靜電去除等關鍵參數,實現復合銅箔的雙面鍍銅生產。

基材材料:PET、PI等柔性材料;

基材厚度:2.8~30μm;

基材卷徑:≤Φ600mm;

基材寬度:15~1600mm;

有效濺鍍寬度:≤1800mm;

濺鍍材料:ITO、Si、Nb?Ox、Cu等;

膜厚均勻性:≤5%;

方阻均勻性:≤5%;

底壓(torr):<5*10-6(≤3hr)<5*10-7(≤24hr);

產品優勢:提供客制化卷繞鍍膜設備及工藝開發。

展品圖片2:R2R卷繞磁控濺射鍍膜設備.png

產品應用:R2R卷繞磁控濺射鍍膜設備已經在客戶端量產,主要應用產品為電磁屏蔽膜。


03

半導體光罩用MASK磁控濺鍍設備



通過磁控濺射技術,再石英玻璃或其他透明基板上沉積超高均勻性的Cr系膜層,光密度3±0.05,且反射率均勻性要優于2%@436nm。

基板尺寸:1300mm*950mm;

工藝腔室真空度:≤5*10-5Pa(8hr);

膜厚均一性:≤2.5%@100nm;

膜厚重復性:≤1%。

展品圖片3:Mask磁控濺射鍍膜設備.jpg

產品應用:半導體光罩用MASK磁控濺鍍設備穩定量產,主要用于半導體光罩基板鍍膜。


04

電致變色技術



通過磁控濺射技術,在玻璃表面鍍SiO?、ITO、WO?、Li等膜層,在外加電場的作用下發生穩定、可逆的顏色變化。

越好集設備研發、制造工藝、器件技術于一身,可提供EC智能玻璃制造快速復制的解決方案,并可全程提供技術、材料、裝備、工藝等方面的支持和服務。

基板尺寸:370*470mm(可定制化);

基板厚度:0.3~4mm;

工藝腔室:≤5*10-4Pa(8hr);

膜厚均一性:≤2.5%@100nm;

膜厚重復性:≤1%。

展品圖片4:電致變色鍍膜設備.jpg

產品應用:電致變色設備主要依托公司電致變色技術,主要應用于建筑和交通工具玻璃。


05

OLED枚葉式設備



高真空環境下進行水平基板傳送,于各獨立工藝腔室進行直立靜態鍍膜(Metal/ITO),具備多工藝多片數同時鍍膜特色;特殊設計Pin/Clamp/Mask系統,有效降低發塵以及靜電產生/獨立磁石調節機構提升成膜均勻度。

設備尺寸:L*W*H:14370*12000*4300mm;

適用基板:1850*1500mm(可定制化);

鍍膜種類:Ti/Al/Ti、ITO/Ag/ITO;

加熱方式:紅外燈管加熱(L1/L2)+銅管加熱(PM);

抽空方式:機械泵+低溫泵(L1/L2)+低溫泵(TR)+低溫泵(PM);

工藝氣體:Ar(Ti/Al/Ag)/O?(ITO);

工藝溫度:RT(ITO/Ag)/62℃(Ti)/85℃(Al)。

展品圖片5:OLED枚葉式設備.jpg

產品特點:針對OLED工藝制程特點,對Particle、鍍膜穩定性、異常破片、感知、生產效率等進行優化。


06

原子層沉積(ALD)設備



在半導體先進制程領域,越好電子透過自主研究開發PECVD、ALD設備,已完成首套ALD鍍膜打樣線設備,搭配40.68MHZ RF Generator,適用于深槽結構的薄膜生長,在結構復雜、薄膜厚度要求精準的先進12寸芯片工藝中,可達到片內及片間薄膜厚度均勻性均在1%以內,不僅可以滿足當前半導體國產化市場需求,還能在未來迎接更廣泛的應用于面板、半導體、生物醫藥等領域。

應用場景:

(1)半導體

I.觸媒催化材料 (Pt、Ir、Co、TiO?)

II.高介電材料(Al?O?、HfO?、ZrO?、Ta?O?)

(2)面板

I.氣體阻隔膜 (Al?O?)

II.透明導電膜 (ZnO:Al、ITO)

III.電致發光 (SrS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Tb)

(3)生物醫藥

生醫圖層 (TiN、ZrN、CrN)

展品圖片6:原子層沉積設備.jpg

產品應用:研發設計團隊有產品出貨實績,應用于12寸晶圓生產,目前設備已經完成打樣測試。